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原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)_合肥原位科技實驗室儀器廠家.

發(fā)布日期:2023-04-14 閱讀量:645

原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)產(chǎn)品介紹:


原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)可以獲得電極表面吸附物種的取向、排列、覆蓋等狀態(tài)信息,是從分子水平研究電極過程的一種有效手段,其中衰減全反射模式的表面增強(qiáng)光譜,由于表面選律簡單、表面信號強(qiáng)、傳質(zhì)容易以及受本體溶液干擾小的優(yōu)點,特別適合實時檢測電極表面動態(tài)過程。該原位反應(yīng)系統(tǒng)引入了三電極和氣體接口,可以在施加外偏壓的條件下,向溶液中通入CO2、N2等反應(yīng)氣體,實現(xiàn)光(電)催化原位紅外光譜表征。在此基礎(chǔ)上,通過在單晶硅表面蒸鍍(或濺射等)金層,引入表面等離子共振波,實現(xiàn)表面增強(qiáng)效應(yīng),增強(qiáng)該原位表征的信號。


原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)產(chǎn)品參數(shù):


30~80度連續(xù)可調(diào),以保證不同電催化劑處于最大光通量狀態(tài);

反應(yīng)池密封性能好,可通入反應(yīng)氣體;

Si/ZnSe/Ge/ZnS等多種晶體可選,容易拆卸;

PTFE和石英池身,耐化學(xué)腐蝕;

5 口設(shè)計,滿足各種應(yīng)用需求。


上表中的晶體適用PH值為常規(guī)環(huán)境,如實驗中加光(電)等條件后需到貨后逐步測試獲取準(zhǔn)備適用范圍。

具體實驗前請檢查晶體與實驗體系是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng),如發(fā)生反應(yīng)會造成晶體被腐蝕導(dǎo)致晶體損壞,嚴(yán)禁此條件下使用。


產(chǎn)品詳情及定制情況,歡迎咨詢!

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